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トップページ > 製品情報> 研究開発向　過渡熱抵抗測定器>TH-2266B

TH-2266BGaAs用FET熱抵抗測定器

特　徴

パワーデバイスの研究開発・評価のスピードを飛躍的に向上できます。

概　要

  • 対象デバイス
    • ・GaAs FET（ショットキ接合）
  • 最大定格
    • ・印加電力 540V
    • ・Vd電圧 1V～18V
    • ・Idリミット電流 1A～30mA
    • ・Im設定電流 0～200mA
  • ■　本装置は、⊿mV法により、GaAs FET（ショットキー接合）の熱抵抗を測定します。
  • ■　測定値は、ヒートシンク熱設計、加速寿命試験等の温度ストレス評価に利用できます。
  • ■　本装置のコントロールはすべて、パソコンにて行います。

機　能

  • ■　レーザーダイオード、各種LED等の熱抵抗を測定する装置です。
  • ■　測定項目
    • ・Vgs1
    • ・Vgs2
    • ・Vh
    • ・Ih
    • ・⊿Vgs
  • ■　試験を行うプログラムは、条件項目に必要なパラメータを入力するだけの簡単操作。
  • ■　測定データは、CSV形式にて保存。

電　気　的　仕　様

 項　　目  内　　容
 対象素子 GaAs FET　（ショットキ接合）
Vd電圧 1V～18V
Idリミット電流 1V～30V
Im設定電流 0V～200mA
ゲート設定電圧 0V～-5V
Th電力印加時間 10μs～9.99Sec

※　上記の仕様は抜粋内容ですので、詳細は当社営業部に問い合わせて下さい。

価　格

■　TH-2266Bは、お客様のご要望に応じた適切なシステム構成をご提案させて頂きます。 詳しくは、当社営業部までお問い合わせをお願い致します。

カタログ：TH-2266B GaAs用FET 熱抵抗測定器

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