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IGBT試験器,SiC試験器,チップテスタ,ダイナミックテスタ,半導体テスタ,動特性試験器,嶺光音電機株式会社

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ST-1321アバランシェ耐量試験装置

特　徴

パワーデバイスの生産効率が大幅にアップするハイ・パフォーマンス試験器

概　要

  • 対象デバイス
    • ・バイポータトランジスタ
    • ・MOS FET（Nch、Pch）
  • 最大定格
    • ・Vd電圧 10V〜90V
    • ・Vdclamp電圧 10V〜1000V
    • ・Id電流 1A〜150V
  • ■　本測定器は、MOS FET/トランジスタ製品のSustaining Voltageを測定します。
  • ■　パソコンを用いた専用ソフトにて、条件設定が容易です。
  • ■　オートハンドラを使用して自動測定が可能です。

機　能

  • ■　MOS FET/トランジスタ製品のSustaining Voltageを測定します。
  • ■　設定項目と測定項目
    • ・Vdsx(SUS)
    • ・Vdso(SUS)
    • ・Vces(SUS)
    • ・Vceo(SUS)
    • ・Vcer(SUS)
  • ■　プリテストとVsus測定
  • ■　プリテスト（ゲートとソース間のシュートチェック）
  • ■　試験を行うプログラムは、条件項目に必要なパラメータを入力するだけの簡単操作。
  • ■　測定データは、CSV形式にて保存。
  • ■　安全対策として、インターロック機能があります。
  • ■　オートハンドラ・インターフェース
    • ・PASS/FAIL
    • ・TEST START
    • ・TEST END
    • ・良品／不良品の二分類機能
  • ■　セルフチェック機能
  • ■　データログ機能のON/OFF設定
  • ■　プラグイン・ゲート抵抗
  • ■　テスターID番号機能によるオートハンドラとの接続認識を行える。

電　気　的　仕　様

 項　　目  内　　容
 対象素子 MOS FET(Pch,Nch)、バイポーラトランジスタ
 Vdd、Vcc電圧 10V〜90V
 Id、Ic電流 0.1A〜150A
 Vgg、Vbb電圧 ±0.5V〜±20V
Ig、Ib電流 ±0.01A〜±6A
Vds gate、Vce gate 0V〜999V
Vds clamp、Vce clamp 0V〜998V
Vgs on time、Ib on time 0〜99.9ms
空芯インダクタンス 100μH、200μH、500μH（150A以下）
鉄芯インダクタンス 　1mH　（70A以下）
　2mH　（50A以下）
　5mH　（25A以下）
10mH　（20A以下）
20mH　（15A以下）
50mH　（10A以下）

※　上記の仕様は抜粋内容ですので、詳細は当社営業部に問い合わせて下さい。

価　格

■　ST-1321は、お客様のご要望に応じた適切なシステム構成をご提案させて頂きます。 詳しくは、当社営業部までお問い合わせをお願い致します。

カタログ：ST-1321　アバランシェ耐量試験装置

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